【杨仕娥】郑州大学物理工程学院研究生导师介绍

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　　姓名：杨仕娥  职称：副教授 最终学历：博士

　　联系电话：13838028443电子邮箱：yangshie@zzu.edu.cn

　　1.个人经历：

　　杨仕娥，1996年6月毕业于郑州大学物理系，获理学学士学位，同年被免试推荐留校攻读硕士和博士研究生，2002年6月获凝聚态物理专业博士学位，并留校工作至今。2005年5月晋升副教授，获得硕士研究生导师资格。

　　2.研究方向：

　　先后从事半导体材料表面与界面电子结构的计算、金刚石薄膜制备、硅基薄膜及太阳电池制备等研究工作，目前主要从事薄膜太阳电池的制备与数值模拟工作。

　　3.代表性成果：

　　主持完成国家自然科学基金项目1项，省厅级项目3项；参与完成国家973项目2项,国家863项目2项，国家自然科学基金项目4项，在国内外学术期刊上发表论文30余篇。

　　4.代表性论文如下：

　　Yang S E, Liu P, Zhang Y J, Guo Q N, Chen Y S, Size and shape effects on light scattering of Ag nanoparticles, Optik, 127 (2016)5722-5728.

　　Liu P, Yang S E, Ma Y X, Lu X YY, Jia Y K, Ding D, Chen Y S, Design of Ag Nanograting for Broadband Absorption Enhancement in Amorphous Silicon Thin Film Solar Cells, Mat. Sci. Semicon. Proc. 39(2015) 760-763 (通讯作者).

　　Ding D, Yang S E, Chen Y S, Gao X Y, Gu JＨ, Lu J X, Numerical simulation of light absorption enhancement in microcrystalline silicon solar cells with Al nanoparticle arrays， Acta Physica Sinica 64(2015) 248801( 通讯作者)

　　Jia Y K, Yang S E, Guo Q N, Chen Y S, Gao X Y, Gu JＨ, Lu J X, Optimal design of light trapping structures for broadband absorption enhancement in amorphous silicon solar cells, Acta Physica Sinica 62(2013) 247801( 通讯作者)

　　Guo Q N, Yang S E, Wang M X, Huo Y P, Tensile and fatigue properties of ultrathin copper films and their temperature dependence, Advanced Materials Research, 343-344 (2012) 296-302. ( 通讯作者)

　　Li Y Y, Yang S E, Chen Y S, Gao X Y, Gu J Ｈ, Lu J X, The study of capacitively -coupled hydrogen plasma at very high frequency, Acta Physica Sinica, 61(2012)165203( 通讯作者)

　　He B H, Yang S E, Chen Y S, Lu J X, Simulation of gas phase reactions of microcrystalline silicon films fabricated by PECVD, Optoelectron. Lett., 7(2011)198-201( 通讯作者)

　　Yang S E, Wen L W, Chen Y S, Wang C Z, Gu J Ｈ, Lu J X, Substrate temperature and B-doping effects on microstructure and electronic properties of p-type hydrogenated microcrystalline silicon films, Acta Physica Sinica 57(2008) 5176-5181.

　　Yang S E, Yao N, Wang X P, Li H J, Ma B X, Qin G Y, Zhang B L, Effect of Mo ion-implantation on the adhension of diamond coatings, Acta Physica Sinica,51(2002) 347- 350.

　　Yang S E, Jia Y, Ma B X, Shen S G, Fan X Q, Electronic structure of the ZnSe/GaAs(100) interfaces with atom interchange, Acta Physica Sinica (Overseas edition), 8(1999): 694-701.