【蔡彬】郑州大学物理工程学院研究生导师介绍

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　　姓名：蔡彬 职称：教授最终学历：博士

　　联系电话：13643804846电子邮箱：bcai@zzu.edu.cn

　　个人经历：

　　蔡彬，1994年毕业于四川大学物理系，获理学学士学位。1999年毕业于中国科学院固体物理研究所，获凝聚态物理博士学位，并留所工作。2001年4月晋升副研究员，获得硕士研究生导师资格。2005年12月通过郑州大学特聘教授评审，并于2006年9月到郑州大学物理工程学院任教授至今。其中，分别于1999年和2001年赴德国亚琛理工大学物理冶金与金属物理研究所进行为期3个月的合作研究；2002年以高级访问学者身份赴德国德雷斯顿莱比尼兹固体和材料研究所进行了为期3个月的学术访问；2003年9月至2006年8月，在美国杨柏翰大学机械工程学院从事博士后研究。

　　研究方向：

　　先后从事多晶、纳米晶材料的蠕变和内耗研究，高温循环变形中Al晶界的行为和作用研究，块体金属玻璃的弛豫行为研究，以及铝合金、合金钢的搅拌摩擦焊以及连续介质力学、定量晶界性质研究等。目前主要研究兴趣为：轻质高强高耐热、高导电铝合金，新型铝基复合材料和块体金属玻璃的制备及性能研究，以及材料的连接（激光焊，铆接，超声波焊接）和粘接等。

　　代表性成果：

　　主持了国家自然科学基金面上项目一项（51371160），教育部留学回国启动基金项目，以及中国科学院合肥物质科学研究院青年基金。参加国家基金面上项目3项，横向项目5项。主持项目经费合计105万，参加项目经费合计240万。发表论文40篇，其中SCI收录23篇，第一作者或通讯作者中，中科院一区论文1篇，二区论文8篇，他引三百次以上，授权国家发明专利2项。荣获2014年河南省教育厅学术技术带头人称号。

　　代表性论文：

　　Li WJ, Cai B, Wang YC, Liu ZX, Yang S, Creep of Al-0.2Sc-0.04Zr alloys after different cold-rolling and ageing combinations, Mater Sci Eng A, 2014 615: 148–152. (通讯作者).

　　Zhou WW, Cai B, Li WJ, Liu ZX, Yang S，Heat-resistant Al–0.2Sc–0.04Zr electrical conductor, Mater Sci Eng A, 2012, 552: 353-358. (通讯作者).

　　Cai B, Adams BL, Nelson TW, Relation of precipitate free zone width and grain boundary types in 7075-T7 Al alloy, Acta Mater, 2007, 55: 1543-1553.

　　Cai B, Shang LY, Cui P et al., Mechanism of internal friction in bulk Zr65Cu17.5Ni10Al7.5 metallic glass, Phys Rev B, 2004, 70 (18): 184208.

　　Cai B, Kong QP, Cui P, Lu L, Lu K, Creep behavior of cold-rolled nanocrystalline pure copper, Scripta Mater, 2001 45 (12): 1407-1413.

　　Cai B, Kong QP, Cui P, Cong HT, Sun XK, Internal friction of nanocrystalline aluminum prepared by plasma evaporation and compaction, Scripta Mater, 2001, 44 (7): 1043-1048.

　　Cai B, Kong QP, Lu L, K Lu, Low temperature creep of nanocrystalline pure copper, Mater Sci Eng A, 2000, 286 (1): 188-192.

　　Cai B, Kong QP, Lu L, Lu K, Interface controlled diffusional creep of nanocrystalline pure copper, Scripta Mater, 1999, 41 (7): 755-759.

　　专  利

　　一种提高ZrCuNiAlTi块体金属玻璃耐蚀性能的优化工艺，蔡彬，李凤鲜，李栋梁等，发明专利：ZL 201410369706.5

　　Al-Sc-Zr导电合金强化和导电性优化工艺，蔡彬、周伟伟、刘忠侠等，发明专利：ZL 201210084022.1。